上:6JV8超三(V1) 下:2A3 PP |
背面
東芝製 6JV8
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「臓物」 スペース上多層配置です。 各部品のリードに絶縁チューブを被せてました。 右上のヒートシンクはB電源安定化用のMOS-FET。 |
「基板周り」 初段回 路、-電源、出力段定電流回路、B電源定電圧 回路を組み込みました。基板裏に出力段定電流回路用 トランジスタを配置、シャーシに接触させ放熱します。 |
「OPT取付け状況」 両端はシャーシ前後面、中央はシャーシ下のアルミ Lアングルを介しシャーシ上面で固定します。 |
「B電源ケミコン取付け状況」 シャーシ内に収容できないため電源トランス背部の空き スペースに配置。 シャーシ内の基板で支えます。 |
(f=1Kc/s時)
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(0dB=0.5W)
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入出力特性:最大出力は想定以上の1Wとなりました。 但し 0.8W以上では波形上下の対象性が崩れます。 周波数特性:0.5Wながら100c/sまでフラット、春日無線の KA-7530はこのクラスとしては十分な性能。 125Kc/sと320Kc/sにピークが出るが負帰還量 が僅かなので問題はない、L/R共良く揃っている。 右は50c/s 0.35W時の出力波形。(入力は 勿論サイン波) 超三とは言えシングルの小型 トランスではこれが限界です。但し超三はそれを 感じないところが不思議!、 同じ球で超三(V1) プッシュプルも試してみたいと思います。 |